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微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析

         
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摘要

在650 nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25 mA时,输出功率达到0.4mW,最大功率可达1 mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺,并分析了器件可能的失效机理.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第12期|5609-5613|共5页
  • 作者

    宋国峰; 钟源; 杨国华; 陈良惠; 甘巧强; 瞿欣; 方培源; 高建霞; 曹青; 徐军; 康香宁; 徐云;

  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    复旦大学材料科学系,上海,200433;

    复旦大学材料科学系,上海,200433;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    北京大学物理系,北京,100871;

    北京大学物理系,北京,100871;

    中国科学院半导体研究所,北京,100083;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    近场光学; 微小孔径激光器; 半导体激光器; 失效分析;

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