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郭焕银; 刘宁; 蔡之让; 张裕恒;
宿州学院材料研究室,宿州,234000;
中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;
磁结构; 电荷有序; 融化; Mn位掺杂;
机译:Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3体系磁结构的影响
机译:在缺氧后,电子掺杂La0.3Ca0.7mNO3化合物中的铁磁性行为的复苏耦合偶像。
机译:粒度对ZnGeAs_2-MnAs体系中单砷化锰基相的磁结构转变的影响
机译:锂位掺杂对LiMnO_2和Li_2MnO_3阴极材料性能影响的第一性原理研究
机译:在Mn 3O4的磁结构相中成像磁性顺序。
机译:过渡金属(TM)掺杂对YMn0.917TM0.083O3六角体系中结构和磁性的影响
机译:mn位掺杂对临界状态的依赖于掺杂的影响 锰氧化物:R0.6sr0.4mnO3(R = La,Nd,sm和Gd)
机译:Gaas的硅和铟掺杂:掺杂对力学行为影响的测量及与位错形成的关系
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
机译:用于形成Mn掺杂的PZT基压电膜和Mn掺杂的PZT基压电膜的组合物
机译:MN掺杂的基于PZT的压电薄膜形成组合物和MN掺杂的基于PZT的压电薄膜
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