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郭焕银; 彭振生; 蔡之让; 刘宁;
宿州学院物理系,宿州,234000;
中国科学技术大学结构分析重点实验室,合肥,230026;
庞磁电阻; 磁结构; 相分离;
机译:Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3体系磁结构的影响
机译:稀土掺杂(R = Pr,Gd,Ho,Er)对Ni 43– x italic> sub> R 的磁结构相变和磁热性质的影响x italic> sub> Mn 46 sub> Sn 11 sub>形状记忆合金
机译:La0.7-xGdxSr0.3MnO3系统中的相分离和异常输运行为
机译:Gd掺杂和(Gd,Li)共掺杂ZnO薄膜对光学性能的影响:实验和从头算研究
机译:B位euro掺杂对铈钡的氢输运性能的影响。
机译:电荷传输材料对带主体掺杂体系的蓝色荧光有机发光二极管的影响
机译:mn位掺杂对临界状态的依赖于掺杂的影响 锰氧化物:R0.6sr0.4mnO3(R = La,Nd,sm和Gd)
机译:未掺杂和铈掺杂的LiGdCl(sub 4)和NaGdCl(sub 4)的闪烁和发光特性
机译:用于影响流体系统中的影响,特别是在流体系统中的流体系统中的振动和影响流体系统中的振动的装置
机译:制备具有在GDL中形成的浓度梯度的GDE的疏水剂的方法,该疏水剂会影响GDE的物理性质
机译:用于影响流体系统中的影响,特别是减少,振动,以及影响流体系统中的振动的方法
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