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铌酸锂晶体中的磁光折变效应研究

         

摘要

对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元. 详细计算并给出了不同全息纪录配置下的所有体光生伏打、磁光生伏打电流的解析形式. 理论结果表明,由于磁光生伏打效应引起了光激发电流的变化,所以对于每种配置全息光栅的衍射效率都会受到外加磁场的影响;对于不同的全息记录配置,磁场对铌酸锂晶体光折变非线性性质的影响也不同. 讨论了一种确定特定张量元的方法.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2007年第12期|7015-7022|共8页
  • 作者单位

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

    南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 唯象理论;
  • 关键词

    磁光生伏打; 磁光折变效应; 光生伏打;

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