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陈焕庭; 吕毅军; 陈忠; 张海兵; 高玉琳; 陈国龙;
厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,厦门,361005;
GaN发光二极管; 负电容; 电导 ; 老化机理 ;
机译:在硅(111)和蓝宝石衬底上生长的基于GaN的蓝光发光二极管中的应变比较
机译:具有镓掺杂的ZnO电流扩散层的基于GaN的高速蓝光发光二极管
机译:基于应变补偿InGaN-AlGaN / GaN量子阱的双蓝光发光二极管
机译:基于GaN的蓝光发光二极管的电学特性
机译:超越传统的基于c面的GaN发光二极管:对LED在半极性方向上的系统研究。
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理
机译:用于固态照明的纳米结构高性能紫外和蓝光发光二极管
机译:基于GaN的发光二极管芯片以及具有基于GaN的发光二极管芯片的发光二极管组件的制造方法
机译:白光发光二极管封装,通过将红光发光二极管芯片与蓝光发光二极管或蓝光发光二极管内部的串联连接,可以实现白光照明
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