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程萍; 张玉明; 郭辉; 张义门; 廖宇龙;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
低压化学气相沉积; 高纯半绝缘4H-SiC; 电子自旋共振; 本征缺陷;
机译:牺牲氧化处理对高纯半绝缘4H-SiC放电电流瞬态光谱法缺陷评估的影响
机译:高纯半绝缘4H-SiC的固有缺陷对肖特基势垒二极管反向电流电压特性的影响
机译:牺牲氧化对高纯半绝缘4H-SiC放电电流瞬态光谱表征的影响
机译:利用电子顺磁共振和光电子顺磁共振研究半绝缘4H-SiC中的缺陷能级
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:高纯半绝缘4H-siC外延层 缺陷 - 竞争外延
机译:高纯半绝缘4H-siC的补偿机理。
机译:高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻的制造方法
机译:高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻率的制造方法
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