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运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

         

摘要

用最近改进的球高斯分布(distributed spherical Gaussian,DSG)极化势模型,在振动密耦合框架下和基于量子力学从头计算的静电势、交换势的基础上,研究了低能电子与H2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面(momentum transfer cross section,MTCS).通过包含18个振动波函数、5个分波和16个分子对称性,得到了0<E≤10 eV时收敛性很好的v=0→v'=0,1,2,3等几个振动跃迁通道和总的MTCS,并与其他实验和理论得到的值进行了比较和分析.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2011年第2期|230-236|共7页
  • 作者单位

    四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610065;

    西华大学物理与化学学院,先进计算研究中心,成都,610039;

    四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065;

    西华大学物理与化学学院,先进计算研究中心,成都,610039;

    西华大学物理与化学学院,先进计算研究中心,成都,610039;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610065;

    四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    H2分子碰撞; 动量迁移散射截面; 振动激发; 球高斯分布极化势;

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