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氘在碳钨共沉积层中的滞留行为研究

         

摘要

运用射频磁控溅射方法,在氘氩混合气氛中制备了含氘碳钨共沉积薄膜.利用离子束分析方法[卢瑟福背散射(RBS)和弹性反冲(ERD)]对薄膜样品的厚度、成分、氘含量等进行了分析;利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM),分别分析了薄膜的结构和表面形态.离子束分析发现,氘原子更易被碳原子俘获位俘获,并且氘含量会随着沉积温度的升高而降低;其他镀膜条件固定的情况下,不同混合气体压强下薄膜样品中的氘浓度在5.0 Pa处有一个峰值;拉曼光谱分析显示,沉积温度从室温升高到725 K时,碳钨共沉积层中的类石墨化成分增加,同时,非晶化的程度也加剧;扫描电子显微镜图像表明,随着温度的升高薄膜表面被腐蚀的痕迹消失,但是由于应力的改变表面出现了多处的凸起.%The C-W co-deposition layer prepared by radio frequency magnetron sputtering was investigated to identify the characteristic of the C-W mixed layers in fusion experimental reactors. Layers were characterized by ion beam analysis (IBA), Raman spectra (RS) and scanning electron microscopy (SEM). It was found that D atoms in C-W layers are mainly trapped by the trapping site of C atoms, only a few of them are arrested by W atoms or defects. D concentration in the C-W layers deposited at 5.0Pa with a fixed flow rate ratio QD2/QAr=2.5 was lower than 10%and decreased slightly with increasing temperature. D concentration increased with the gas pressure from zero to 5 Pa and then decreased from 5 Pa to 10 Pa. RS revealed that the crystal structure of the C-W layers became graphite-like with increasing temperature. SEM images showed that the caves disappeared and convex bodies were dotted on the surfaces as the temperature increased.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2013年第19期|328-333|共6页
  • 作者单位

    复旦大学现代物理研究所应用离子束物理教育部重点实验室;

    上海 200433;

    复旦大学核科学与技术系;

    上海 200433;

    复旦大学现代物理研究所应用离子束物理教育部重点实验室;

    上海 200433;

    复旦大学核科学与技术系;

    上海 200433;

    复旦大学现代物理研究所应用离子束物理教育部重点实验室;

    上海 200433;

    复旦大学核科学与技术系;

    上海 200433;

    复旦大学现代物理研究所应用离子束物理教育部重点实验室;

    上海 200433;

    复旦大学核科学与技术系;

    上海 200433;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    氘滞留; 碳钨共沉积; 射频磁控溅射;

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