BaO掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响

摘要

采用改进后的顶部籽晶熔渗生长(M-TSIG)工艺,通过在固相先驱粉体中掺杂不同含量的BaO来有效地抑制GdBCO样品生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,从而成功地制备出了一系列单畴GdBCO超导块材,并且对样品的宏观形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能进行了研究.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品的熔化温度(Tm)及包晶反应温度(Tp)均出现逐渐降低的趋势;同时,当样品中BaO的添加量在2 wt％-4 wt％时,可以在一定的程度上有效提高GdBCO样品的磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能.