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李强; 陈硕; 刘可可; 鲁志强; 胡芹; 冯利萍; 张清杰; 吴劲松; 苏贤礼; 唐新峰;
武汉理工大学襄阳示范区;
武汉理工大学;
武汉理工大学纳微结构研究中心;
Bi_(2)Te_(3)基化合物; 颗粒尺寸; 类施主效应; 热电性能;
机译:SiC纳米分散对p型和n型Bi_(2)Te_(3)基合金热电性能的影响
机译:冷却速率对n型Bi_(2)(Se_(0.4)Te_(0.6))_(3)化合物热电性能的影响
机译:通过热压和热挤压制备的n型SbI_(3)掺杂Bi_(2)Te_(2.85)Se_(0.15)化合物的热电性能
机译:Bi_(0.4)Sb_(1.6)Se_(3x)Te_(3(1-x))季化合物的结构和热电性能
机译:锗-锑-碲基化合物和合金的合成,加工和热电性能。
机译:制造工艺对热电的影响镁基化合物的性能—以n型为例镁2锗
机译:Sn掺杂P型Cu3SBSE4的热电性能4:具有大有效质量和小带隙的化合物
机译:用体相合金化掺杂改善mg基四元化合物的热电性能
机译:有效电子P型掺杂剂和氧化FOR克服了使用低最高分子轨道能级的电子施主在有机光伏电池中克服S型电流伏特图的问题
机译:p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
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