a-Si∶H的XPS研究

摘要

采用XPS技术和相应的化学位移理论及谱峰拟合方法研究了a-Si∶H薄膜。本文报道了含氧a～si∶H中可能出现和存在的不同化学构态,深度分布和不同衬底材料导致的不同界面特性和表面特性。