溅射非晶态硅的光致发光

摘要

本文报道了在77K下测得溅射工艺制备非晶态硅的光致发光光谱,并与辉光放电工艺制得非晶态硅的光致发光光谱作了比较。文中还讨论了由于沉积温度T_d的不同,给予带隙内辐射复合渠道所带来影响而使发光特性发生的变化。