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何炜瑜; 孙云; 李长健;
南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071;
Cu(In,Ga)Se2; CdS; ZnO; 光学常数; 色散关系;
机译:带有ALD-Zn_(1-x)Mg_xO缓冲层的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的温度相关电流电压和光吸收测量
机译:用Cu(In,Ga)Se2四元靶溅射制备Cu(In,Ga)Se2薄膜
机译:适用于Cu(In,Ga)SE2器件的反应性溅射Zn(O,S)缓冲层,适用于Cu(In,Ga)SE2器件
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:由于缓冲/窗口界面缺陷而在Cu(InGa)Se2太阳能电池中产生红色扭折电流-电压曲线的数据集
机译:用于Cu(IN,GA)SE2太阳能电池的精确控制的Cu缺陷层和Cu(Ga)Se2吸收器之间的界面的表征(Phy。Station Solidi RRL 8/2018)
机译:层化合物Gase和Gas的光学常数的温度调制
机译:Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层,Cu(InGa)(S,Se)2薄膜层,太阳能电池和形成Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层的方法
机译:优化的Cu(1-x)Ga(x)Se2太阳能电池的孔阻挡,电子传输和窗口层
机译:Cu(inga)SE2薄膜太阳电池的制备方法及其制备方法
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