MACE制备的硅纳米线拉曼光谱及陷光结构研究

摘要

采用金属辅助化学刻蚀法(MACE)制备硅纳米线,样品形貌表征结果表明:电化学反应的HF溶液浓度越小,硅纳米线直径越小,硅纳米阵列越稀疏。此外,对比分析单晶硅和硅纳米线的拉曼光谱,经拟合得到硅纳米线的双声子峰相比单晶硅双声子峰发生明显移动。测量不同HF浓度刻蚀的硅纳米线的反射率曲线,然后对硅纳米线的陷光性能进行数值模拟。