晶体管延迟注入渡越时间器件的原理与分析

摘要

本文分析了晶体管延迟注入渡越时间器件的工作原理。除在收集结与基区之间插入了一个v型或π型渡越区外,器件的结构与通常晶体管的很相似,但它是作为两端器件运用的。本文用小信号理论计算了其负阻和噪声性能,并进行了大信号性能的近似分析。结果表明:在X波段,该器件能以相当高的效率给出瓦级输出功率,其噪声量度却比一般崩越器件小,约为20dB左右。