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沈(岂页)华;
无;
半导体材料; 参数; 测定; 光电压法;
机译:半导体超晶格中的光跃迁,一个带中的带隙较小,而另一带中的带隙较大
机译:表面光电压光谱中的束缚和束缚自由跃迁:In_xGa_(1-x)As和In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y量子阱的带隙确定
机译:分光光度法测定半导体材料的光学带隙和电子跃迁
机译:间接跃迁半导体和直接跃迁半导体的研究:半导体跃迁类型的新解释
机译:以上是直接带隙材料的带隙热光系数测量值。
机译:Van der Waals晶体的间接带隙和直接带隙的光声和调制反射率研究
机译:表面光伏光谱法测量内置电压,空间电荷层宽度和Cdse量子点薄膜的有效带隙
机译:小带隙半导体中光激发载流子引起的折射率变化(pOsTpRINT)
机译:能够在比固有带隙小的区域内控制超出量子点材料固有吸收和发射区域的电子跃迁的量子点,并且还能控制向局部表面等离子体激元共振区域的电子跃迁
机译:电子设备,即诸如集成半导体开关之类的电子开关装置,具有作为带隙参考电压的输出级供应电压,其中,该电压由PN结处的电压降的组合形成。
机译:带隙电压参考,以及包括带隙电压参考在内的精密电压源
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