用有机硅树脂YR3370连接RBSiC陶瓷

摘要

以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370(GE Toshiba Silicones)为连接剂,连接了反应烧结SiC(RBSiC)陶瓷.连接件在1 100～1 300 ℃的99.99%N2气流中进行热处理.用三点弯曲强度实验测定连接件的强度,用场发射扫描电镜、X射线衍射和热重测试分析显微结构和化学反应.在连接温度为1 200℃时,连接件的三点弯曲强度达到最大值197 MPa.连接层是由有机硅树脂YR3370裂解生成的无定形SixOyCz陶瓷,其结构连续均匀致密,厚度在2～5 μm之间.连接机理是通过无定形SixOyCz陶瓷的无机粘接作用在RBSiC陶瓷基体和连接层之间形成连续的化学键.