Georgia State University;
Gallium manganese nitride; Group III-V heterostructures; Terahertz devices; Thin films;
机译:基于毫米波和太赫兹频率的III-V组半导体的DDR IMPATT器件的大信号表征
机译:单层石墨烯和少量MoS2异质结构器件中的可调电学和光学特性
机译:光学装置Terahertz集成在二维三维异质结构中
机译:III型HgTe / Hg_1-xCd_xTe异质结构的光电性能
机译:非极性和半极性III族氮化物基异质结构和器件的生长和表征。
机译:太赫兹光谱技术的印刷电子设备非接触原位电表征方法
机译:AlGaN / GaN HEMT异质结构中的自热效应:电学和光学表征