University of Florida.;
Antiphase; Defects; Epitaxy; Gaas; Semiconductors;
机译:在氧化钇稳定的氧化锆(001)上生长的In_2O_3(001)薄膜中的反相边界和旋转域
机译:反相畴边界密度对在Si(001)衬底上生长的GaSb外延层表面粗糙度的作用
机译:通过生长后退火溶解在Si(001)上的GaAs中的抗磷血域边界
机译:Si(001)上GaAs的相畴边界An灭率的确定以及MOCVD生长温度的影响
机译:使用具有阻抗边界条件的时域边界整体方程来研究模拟声波散射的可行性和稳定性
机译:使用磁布拉格衍射相衬成像反铁磁反相畴边界
机译:Fe3O4(001)表面的反相畴边界