University of Southern California;
机译:基于可靠SRAM的FPGA中软核处理器的软件容错技术设计和分析
机译:缩放对250nm至22nm设计规则中SRAM中中子感应软误差的影响
机译:偏置温度不稳定性意识到和软误差耐受辐射硬化10T SRAM单元
机译:软容错超低泄漏12T SRAM位单元设计
机译:在软错误恢复能力和性能约束下,根据每单位面积产量的最佳容错SRAM设计。
机译:高效耐制造误差的平面太赫兹衍射光学元件的计算设计框架
机译:偏置温度不稳定性意识到和软误差耐受辐射硬化10T SRAM单元