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THE BEHAVIOR OF THE CRITICAL FIELD OF QUENCHED THIN LEAD, TIN, AND INDIUMFILMS: ITS ANGULAR DEPENDENCE AND ITS RELATION TO CHANGES IN DEFECT CONCENTRATION, CRYSTALLIZATION, AND MEAN FREE PATH.

机译:淬硬的薄铅,锡和铟的临界场的行为:其角度依赖性及其与缺陷浓度,结晶和平均自由程变化的关系。

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著录项

  • 作者

    SCHILLER, CHARLES K.;

  • 作者单位

    Wayne State University.;

  • 授予单位 Wayne State University.;
  • 学科 Condensed matter physics.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1968
  • 页码 111 p.
  • 总页数 111
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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