The University of Arizona.;
机译:关于“ II-VI和III-V半导体的德拜温度和熔点”的评论。 Res。技术。 45,第9号,920-924(2010)]
机译:设计单元半导体接口:一种使用II-VI和III-V半导体材料的材料修改方法
机译:基于紧密结合方法的键轨道模型的现存离子电荷理论:半经验模型应用于宽带隙II-VI和III-V半导体
机译:基于III-V半导体的热载体太阳能电池选择性能量联系的谐振隧穿结构的制造
机译:III-V和II-VI半导体及其异质结构的调制光谱。
机译:p型单层II-VI半导体SrS和SrSe中的磁性
机译:III-V和II-VI半导体异质结构中的载流子隧穿