Stanford University.;
机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属氧化物半导体器件中的非易失性存储效应
机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属-氧化物-半导体器件中的非易失性存储效应
机译:砷化镓上的氧化镓(Ga_2O_3)-一种适用于未来设备的低缺陷,高K系统
机译:砷化镓与铟镓砷化镓的比较作为使用Silvaco应用的太阳能电池性能的材料
机译:砷化镓-氮化镓晶片融合和n-铝砷化镓/ p-砷化镓/ n-氮化镓双异质结双极晶体管。
机译:校正:PanJ.L.向砷化镓深中心激光器进展。材料200921599-1635
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性