500kV直流支柱式瓷绝缘子离子迁移的研究

摘要

该文针对500kV直流支柱式瓷绝缘子离子迁移的问题进行了研究,探讨了离子迁移对500kV直流支柱式绝缘子瓷材料的影响,为国内自行研制500kV直流支柱式绝缘子提供了理论和试验依据.在对离子迁移试验研究的过程中,对原有离子迁移试验测量系统进行了改进,通过为每路泄漏电流回路设置接地开关及公共测量开关,并在软件上为测量回路设定4种状态,提高了测量系统的稳定性.以悬式绝缘子离子迁移试验标准为基础,完整的设计了500kV直流支柱式瓷绝缘子离子迁移试验,其中包括研究了试品体积电阻随温度场强变化的规律,成功的设计了试验试品,确定了长期离子迁移试验电压(40kV)和试验温度(130℃),计算了50年累计电荷量(0.173C).对10支试品进行了长期离子迁移试验,测量了泄漏电流曲线和累计电荷量随时间变化曲线,计算了试品的离子迁移率和迁移距离,并对试品Na<'+>、K<'+>的含量进行了化学分析.长期离子迁移试验结果表明,试品通过了离子迁移试验且表面没有任何机械问题.化学分析结果表明长期离子迁移试验并未引起直流支柱瓷材料Na<'+>、K<'+>含量明显的变化.因此我们初步认为离子迁移没有影响直流支柱瓷绝缘的机电性能,但还需要进一步试验证明.

目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

1.1直流绝缘子的老化问题

1.2直流悬式瓷绝缘子离子迁移的研究现状

1.2.1绝缘子离子迁移现象的研究现状

1.2.2悬式绝缘子的机电性能

1.2.3离子迁试对直流悬式瓷绝缘子的影响

1.3.3抑制离子迁移的措施

1.3直流支柱瓷绝缘子离子迁移的研究现状

1.4存在的问题

1.5本论文的主要工作

第二章直流瓷绝缘子离子迁移试验系统

2.1引言

2.2直流瓷绝缘子离子迁移试验系统介绍

2.2.1直流瓷绝缘子离子迁移试验硬件系统

2.2.2直流瓷绝缘子离子迁移试验软件系统

2.3离子迁移试验系统的改进

2.4直流瓷绝缘子离子迁移试验系统的实测

2.5小结

第三章支柱绝缘子离子迁移试验条件确定

3.1引言

3.2绝缘子离子迁移试验

3.2.1绝缘子体积电阻的测量

3.2.2累计电荷量的计算

3.2.3长期离子迁移试验

3.3支柱绝缘子和悬式绝缘子机电性能的区别

3.3.1支柱绝缘子和悬式绝缘子电气性能的区别

3.1.2支柱绝缘子和悬式绝缘子机械负荷的区别

3.4直流支柱瓷绝缘子离子迁移试验条件的确定

3.4.1试验试品的确定

3.4.2离子迁移试验电压的确定

3.4.2试品体积电阻和温度场强关系的确定

3.4.3累计电荷量的计算

3.4.4长期离子迁移试验的研究

3.5小结

第四章离子迁移试验及其分析

4.1前言

4.2离子迁移试验数据及分析

4.2.1试品体积电流和温度的关系

4.2.2试品的累积电荷量

4.3试品的离子迁移率和迁移距离

4.4化学分析

4.5机械试验

4.5.1机械破坏性参数试验

4.5.2机械非破坏性参数试验

4.6小结

第五章结论

致谢

参考文献

发表的学术论文