文摘
英文文摘
致谢
序
第一章 绪论
1.1 有机电子学的开启
1.2 有机场效应晶体管(OFET)的发展及应用
1.2.1 有机场效应晶体管的发展
1.2.2 有机场效应晶体管的应用
1.3 有机场效应晶体管的基本原理
1.3.1 有机场效应晶体管的工作原理
1.3.2 有机场效应晶体管电学性能的模型
1.3.3 有机场效应晶体管的器件性能参数
1.3.4 有机半导体的电荷传输机制
1.4 有机场效应晶体管的材料
1.4.1 有机场效应晶体管的有机半导体材料
1.4.2 有机场效应晶体管的绝缘层材料
1.4.3 有机场效应晶体管的电极材料
1.5 高分子有机场效应晶体管的研究
1.5.1 高分子有机场效应晶体管研究的提出
1.5.2 高分子有机场效应晶体管物理学的焦点
1.5.3 高分子场效应晶体管目前存在的问题
1.6 本论文的主要研究内容
第二章 RR-P3HT OFET中高分子半导体薄膜结晶行为及微观结构变化的研究
2.1 引言
2.2 高分子OFET中高分子半导体薄膜自组织与自组装机制的界定
2.3 同步辐射掠入射x射线衍射(GIXRD)技术的基本原理与实验装置及流程
2.3.1 GIXRD测量的基本原理
2.3.2 同步辐射GIXRD研究实验装置及流程
2.4 利用同步辐射GIXRD技术探讨RR-P3HT微观结构及电荷传输机制的研究
2.4.1 材料体系的选择
2.4.2 器件的制备及测试
2.4.3 结果与分析
2.5 本章小结
第三章 界面修饰效应提升RR-P3HT OFET器件性能的研究
3.1 引言
3.2 界面修饰调控自组织机制及其对RR-P3HT OFET器件性能的影响
3.2.1 器件的制备及测试
3.2.2 结果与分析
3.3 经界面修饰的RR-P3HT OFET中薄膜形态与电荷传输性能关系的研究
3.3.1 器件的制备及测试
3.3.2 结果与分析
3.4 本章小结
第四章 热退火效应及真空静置作用提升RR-P3HT OFET器件性能的研究
4.1 引言
4.2 热退火及真空静置对快速生长的RR-P3HT OFET器件性能的影响
4.2.1 器件的制备及测试
4.2.2 结果与分析
4.3 热退火对慢速生长的RR-P3HT OFET器件性能的影响
4.3.1 器件的制备及测试
4.3.2 结果与分析
4.4 本章小结
第五章 改善低温溶液处理提升RR-P3HT OFET器件性能的研究
5.1 引言
5.2 高分子溶液浓度对RR-P3HT OFET器件性能的影响
5.2.1 器件的制备与测试
5.2.2 结果与分析
5.3 高分子与小分子OFET中表面形貌及载流子迁移率的厚度依赖性区别研究
5.3.1 器件的制备与测试
5.3.2 结果与分析
5.4 非溶剂掺杂完善自组织机制提升RR-P3HT OFET器件性能的研究
5.4.1 器件的制备与测试
5.4.2 结果与分析
5.5 本章小结
第六章 结论
参考文献
附录A
作者简历
学位论文数据集