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第1章绪论
第2章晶体管的热稳定因子
第3章HBT自加热效应的补偿方法
第4章非均匀设计对晶体管热电耦合效应的改善
第5章SiGe HBT的工艺、结构及版图设计
结论与展望
参考文献
攻读硕士学位期间所发表的学术论文
致谢
杨经伟;
北京工业大学;
异质结双极晶体管; 自热效应; 热电耦合效应; 器件设计;
机译:基于光热辐射尺寸技术研究Si和SiGe样品热参数的可能性
机译:托卡马克技术研究(TEXTOR)实验中密度极限的参数依赖性:热不稳定性理论与实验的比较
机译:用于高频微波功率放大的SiGe HBT基区优化
机译:用于微波功率应用的多发射极Si / SiGe HBT
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:包含14、14和14重原子SiGe和Sn中之一的11元环系统的合成和热研究
机译:基于虚拟衬底的微波功率SiGe HBT和新型SiGe HPT的设计与制造
机译:微波功率连续热灭菌食品的可行性
机译:氮化氧化物的热处理可改善负偏压的热不稳定性
机译:微波功率分配器/组合器设备,微波功率分配器/组合器带通滤波器以及热冷却电缆走线的方法
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