利用氧化铝模板合成准一维纳米结构

摘要

本文设计了一种去除纳米氧化铝模板背面铝层的装置，从而解决了氧化铝模板制备过程中最难于控制的一步；其次我们设计了简单的适合于在氧化铝模板中电沉积纳米线阵列的电解槽。这些为接下来的模板制备和电沉积过程奠定了基础。 对制备工艺进行了系统的分析。采用电化学沉积技术成功地在氧化铝模板中组装了合金Ni5Zn21、Ag7Te4和Ag2Te的有序纳米线阵列，并用SEM、TEM、SAED、HRTEM以及XPS等手段进行了表征，对共沉积工艺进行了系统的分析。结合溶剂热的优点，首先在氧化铝模板中制备了高质量的金属Zn纳米线阵列，然后在溶剂热条件下制备了S/Zn同轴纳米电缆阵列，用酸或碱将Zn和氧化铝模板除去后得到了纯的S纳米管。 采用电化学沉积技术在氧化铝模板中制备了钨蓝的纳米线阵列，然后在500℃下利用不同的升温速率进行脱水过程，最终分别得到了WO3的纳米棒和纳米管，其进一步的结构表征和光学性质有待进一步实验。

目录

文摘

英文文摘

第一章低维无机纳米材料的合成研究进展

§1.1引言

§1.2纳米材料的结构与特性

§1.3低维纳米材料的合成方法

§1.3.1结构高度各向异性的材料

§1.3.2改变晶体对称性合成低维纳米材料

§1.3.3模板合成方法

§1.4氧化铝模板合成纳米结构的方法和技术特点

§1.5本论文的研究内容和意义

参考文献

第二章高度有序的氧化铝双通阵列模板的制备

§2.1引言

§2.2氧化铝模板的制备及表征

§2.2.1氧化铝模板的制备

§2.2.2氧化铝模板的结构和形貌表征

§2.2.3影响氧化铝模板的孔径大小和有序性的因素

§2.3氧化铝模板的去铝过程

§2.4氧化铝模板有序孔阵列的形成机理

§2.5本章小结

参考文献

第三章金属与准金属纳米线阵列的制备和表征

§3.1引言

§3.1.1电化学沉积基础

§3.1.2金属纳米线的研究进展

§3.2准金属Sb单晶纳米线阵列的制备和表征

§3.2.1引言

§3.2.2准金属Sb有序单晶纳米线阵列的制备

§3.2.3准金属Sb单晶纳米线阵列的结构表征

§3.2.4讨论

§3.2.5结论

§3.3金属Cu、Ag、Pb单晶纳米线阵列的制备和表征

§3.3.1引言

§3.3.2金属Cu单晶纳米线阵列的制备和表征

§3.3.3金属Ag单晶纳米线阵列的制备与表征

§3.3.4金属Pb单晶纳米线阵列的制备与表征

§3.4准金属Se、Te纳米线阵列的制备和表征

§3.4.1引言

§3.4.2准金属Se纳米线阵列的制备和表征

§3.4.3准金属Te纳米线阵列的制备和表征

§3.5本章总结与讨论

参考文献

第四章合金Ni5Zn21、Ag2Te和Ag7Te4纳米线阵列的制备和表征

§4.1电沉积合金概述

§4.2合金Ni5Zn21纳米线阵列的制备和表征

§4.2.1合金Ni5Zn21纳米线阵列的制备

§4.2.2合金Ni 5Zn21纳米线阵列的表征

§4.3合金Ag7Te4和Ag2Te纳米线阵列的制备和表征

§4.3.1引言

§4.3.2合金Ag7Te4和Ag2Te纳米线阵列的制备

§4.3.3合金Ag7Te4和Ag2Te纳米线阵列的表征

§4.3.4沉积Ag7Te4和Ag2Te纳米线阵列的讨论

§4.4本章小结

参考文献

第五章S/Zn纳米同轴电缆、S纳米管和WO3纳米棒、纳米管的制备与表征

§5.1 S/Zn纳米同轴电缆和S纳米管的制备与表征

§5.1.1引言

§5.1.2 S/Zn纳米同轴电缆和S纳米管的制备

§5.1.3 S纳米管的表征

§5.2 WO3纳米棒和纳米管的制备与表征

§5.2.1引言

§5.2.2 WO3纳米棒和纳米管的制备

§5.2.3 WO3纳米棒和纳米管的表征

§5.3本章小结

参考文献

致谢

附录文章发表情况