一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：将由KCu₇S₄准一维纳米结构通过LB技术组装而成的KCu₇S₄单层膜转移到构建有绝缘区域的n型硅基底上，KCu₇S₄单层膜与硅基底接触形成Si/KCu₇S₄异质结，在绝缘区域上方沉积与KCu₇S₄单层膜形成欧姆接触的第一金属薄膜电极，在硅基底背面制备与硅形成欧姆接触的第二金属薄膜电极，即获得自驱动近红外光电探测器。本发明的自驱动近红外光电探测器制备过程简单易行，器件性能优越，且与现行半导体工艺具有良好的兼容性。