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基于忆阻器的Morris-Lecar神经元模型的放电模式分析和电路实现

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第一章 绪论

1.1 课题背景及研究意义

1.2 忆阻器和神经科学的国内外研究现状

1.3 神经元模型放电模式研究中存在的问题

1.4 本文主要研究内容

第二章 神经元系统的模型构建与研究方法

2.1忆阻器和神经元简介

2.2 神经元等效电路

2.3 忆阻器与神经元的联系

2.4 神经元系统研究方法

2.5 本章小结

第三章 带有忆阻器的三维M-L神经元模型构建及其输入输出关系和能量效率的分析

3.1 引言

3.2 带有忆阻器的M-L神经元模型构建

3.3 带有忆阻器电磁感应的M-L神经元能量分析

3.4 不同动态阈值下神经元模型的输入-输出特性

3.5 不同动态阈值下神经元的能量效率

3.6 本章小结

第四章 带有忆阻器的四维M-L神经元系统放电模式分析

4.1引言

4.2 带有忆阻器的四维M-L神经元系统的建立

4.3 神经元系统的放电模式趋势分析

4.4 本章小结

第五章 带有忆阻器的M-L神经元的系统实现

5.1 带有忆阻器的四维M-L神经元系统的电路实现

5.2 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

参考文献

发表论文和参加科研情况

致谢

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著录项

  • 作者

    武宇;

  • 作者单位

    天津工业大学;

  • 授予单位 天津工业大学;
  • 学科 控制工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 齐国元,邸巧华;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TM1TP1;
  • 关键词

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