碳化硅元件自由基等离子体加工关键工艺研究

目录

摘要

1绪论

1．1课题来源及研究背景

1．2超光滑表面的加工方法

1．3等离子体光学加工国内外研究现状

1．4本文研究内容及章节安排

2实验平台及相关测试技术

2．1技术路线

2．2磁控溅射

2．3RPS-350型自由基等离子体刻蚀抛光系统

2．4测试设备及技术

2．4．1朗缪尔探针

2．4．2Zygo Newview8200白光干涉仪(WLI)

2．4．3Taylor Hobson PGI Optics接触式轮廓仪

2．4．4椭偏仪

2．4．5扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)

2．4．6X射线衍射仪(X-Ray Diffractometer，XRD)

2．4．7X光电子能谱仪(X-ray Photo-electronic Spectroscopy,XPS)

2．4．8光纤光谱仪

3磁控溅射制备SiC改性层工艺探索

3．1SiC靶直接溅射

3．2硅靶反应溅射

3．3两种工艺的对比总结

3．3．1沉积速率

3．3．2表面粗糙度

3．3．3薄膜组分

3．3．4晶体结构

3．3．5两种工艺总结

3．4SiC薄膜退火

3．5小结

4自由基微波离子源设备刻蚀特性研究

4．1微波远端等离子体源(RPS)等离子体表征

4．2刻蚀均匀性

4．2．1水平方向

4．2．2不同刻蚀角度(基片表面法线与RPS源轴线所夹锐角)

4．3不同工作气体流量刻蚀

4．4刻蚀前、后表面及残留物分析

4．5小结

5自由基等离子体刻蚀SiC

5．1刻蚀S-SiC

5．2刻蚀SiC薄膜

5．2．1不同工作气体流量比刻蚀退火、未退火SiC薄膜

5．2．2刻蚀不同晶型SiC薄膜

5．2．3刻蚀前、后表面及残留物分析

5．3刻蚀S-SiC与刻蚀SiC薄膜对比

5．4小结

6结论与展望

6．1结论

6．2展望

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文

致谢

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