声明
摘要
第一章 绪论
1．1 引言
1．2 半导体纳米晶
1．2．1 半导体纳米晶的特性
1．2．2 半导体纳米晶的液相合成基础
1．3 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族三元硫属化合物半导体纳米晶
1．3．1 概述
1．3．2 晶体结构
1．3．3 合成进展
1．3．4 光学性质
1．3．5 应用研究
1．4 本论文的选题背景与研究内容
参考文献
第二章 超细纳米线组成的AgInS2多级花状纳米结构的合成及表征
2．1 引言
2．2 实验部分
2．2．1 实验试剂
2．2．2 AgInS2多级纳米结构的合成
2．2．3 表征手段
2．3 结果与讨论
2．3．1 产物表征
2．3．2 形成机理
2．3．3 影响因素
2．3．4 光学性质
2．4 本章小结
参考文献
第三章 不同结构与形貌的CuInS2纳米晶的合成、表征及机理研究
3．1 引言
3．2 实验部分
3．2．1 实验试剂
3．2．2 CuInS2纳米晶的合成
3．2．3 表征手段
3．3 结果与讨论
3．3．1 产物表征
3．3．2 时间实验和生长机理
3．3．3 Cu离子与In离子的活性比和纳米晶结构的关系
3．3．4 光学性质
3．4 本章小结
参考文献
第四章 不同结构与形貌的CuGaS2纳米晶的合成、表征及机理研究
4．1 引言
4．2 实验部分
4．2．1 实验试剂
4．2．2 CuGaS2纳米晶的合成
4．2．3 表征手段
4．3 结果与讨论
4．3．1 产物表征
4．3．2 时间实验及生长机理
4．3．3 光学性质
4．4 本章小结
参考文献
致谢
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果
