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基于氧化钽薄膜低功耗阻变存储器的性能研究

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第一章 绪论

1.1存储器概述

1.2新型非易失性存储器

1.2.1铁电存储器

1.2.2磁阻存储器

1.2.3相变存储器

1.2.4阻变存储器

1.3离子型阻变存储器低功耗研究现状

1.4研究内容及研究意义

第二章 阻变存储器的制备工艺及表征技术

2.1阻变存储器的制备工艺

2.1.1超高真空磁控溅射系统

2.1.2磁控溅射设备和离子束溅射设备

2.2薄膜表征设备

2.2.1椭圆偏振光谱仪

2.2.2 X射线光电子能谱分析仪(XPS)

2.3电学性能测试设备

第三章 氧化钽薄膜性能优化

3.1基于氧化钽薄膜存储器的性能优化

3.1.1 TaOx氧分压对于器件性能的影响

3.1.2 中间层厚度对于器件性能的影响

3.2 中间层性能最优条件下电学测试

3.3本章小结

第四章 基于氧化钽薄膜低功耗阻变机理的研究

4.1不同下电极和中间层对器件性能的影响

4.2 低功耗机理研究

4.3本章小结

第五章 总结与展望

参考文献

在学期间取得的科研成果和科研情况说明

致谢

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著录项

  • 作者

    郭淑琴;

  • 作者单位

    天津理工大学;

  • 授予单位 天津理工大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 赵金石;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

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