MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究工作的背景与意义

1.2 栅控晶闸管产品的现状

1.3 辐照效应的研究历史与现状

1.4 爆炸箔起爆器的现状

1.5 现有问题和本文贡献

1.6 本论文的结构安排

第二章 AS-MCT的器件物理分析

2.1 器件结构与基本工作原理

2.2 不同结构MCT电学性能的对比

2.3 器件的关键电学特性

2.4 实验样品的结构剖析

2.5 本章小结

第三章 辐射效应及电容脉冲放电电路的理论和装置

3.1位移辐射效应研究

3.2 电离辐射效应研究

3.3 电容脉冲放电原理

3.4 辐照实验装置

3.5 测试设备和测试方法

3.6 本章小结

第四章 AS-MCT的中子位移损伤效应

4.1 辐照实验过程

4.2 基区缓变掺杂三极管增益损伤模型

4.3 转移特性损伤效应

4.4 正向传输特性损伤效应

4.5 正向阻断特性损伤效应

4.6 脉冲放电特性损伤效应

4.7 材料参数损伤的表征

4.8 本章小结

第五章 AS-MCT的电离损伤效应

5.1 辐照实验过程

5.2 转移特性损伤损伤效应

5.3 正向传输特性损伤

5.4 正向阻断特性损伤

5.5 脉冲放电特性损伤效应

5.6 本章小结

第六章 AS-MCT的抗辐射加固关键技术

6.1 抗位移辐射加固

6.2 抗电离辐射加固

6.3 本章小结

第七章 结论与展望

7.1 全文总结

7.2 后续工作展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间取得的成果