机译:阳极短MOS控制晶闸管位移损伤效应的实验研究
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机译:漂移型BJT位移损伤的当前增益退化模型
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机译:使用集总电荷方法的功率二极管和MOS控制晶闸管的基于物理模型。
机译:金属氧化物半导体控制晶闸管触发的Microchip爆炸箔引发剂的点火性能
机译:阳极短MSO控制晶闸管脉冲放电电路的电离损伤效应
机译:使用FEamaC多尺度建模框架内的局部位移不连续模型建立渐进损伤