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1.3研究内容和结构安排
第二章TFET反相器研究技术路线及仿真平台介绍
参考文献
孟凡康;
西安电子科技大学;
机译:通过反相器性能评估的轴向Ge-Si异质结全栅纳米线隧穿CMOS-FET器件设计
机译:带有Cytop夹层的稳定双极性有机-无机异质结场效应晶体管和反相器
机译:正交光刻技术在柔性衬底上的微型有机场效应晶体管和互补反相器中的应用
机译:基于过渡金属二卤化物的层间隧穿场效应晶体管中单粒子共振隧穿的全带模拟
机译:III-V Esaki二极管和2D隧穿场效应晶体管的量子模拟研究
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:N型自组装单层场效应晶体管和互补反相器
机译:激光加工多层基板上的垂直单栅CmOs反相器。
机译:用于制造用于场效应晶体管的亚光刻栅极结构以及用于制造相关的场效应晶体管,相关的反相器和相关的反相器结构的方法
机译:薄膜场效应晶体管,CMOS反相器以及形成薄膜场效应晶体管和CMOS反相器的方法
机译:具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
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