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何耿;
苏州大学;
机译:上回音壁模式操作量子阱激光器的阈值电流的温度依赖性(2.0-2.5微米)
机译:立方氮化镓-用于HEMT的碳化物衬底-氮化镓激光器的硅
机译:基于水浸目标抽气回音壁模式微盘激光器的片上实时化学传感器
机译:氮化镓蓝宝石上的氮化镓金属有机气相外延生长模式可提高基于InGaN的发光二极管的效率
机译:通过分子束外延生长1.5微米氮化铟镓砷化锑锑化物垂直腔表面发射激光器。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:立方氮化镓–用于HEMT的碳化物衬底–氮化镓激光器的硅
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(UV)的倍频蓝绿激光器
机译:基于氮化镓的半导体激光器件以及制造基于氮化镓的半导体激光器件的方法
机译:基于氮化镓的半导体激光器,在有源区和基板之间设置了改进的氮化铝镓覆层
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
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