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碳化硅MOSFET芯片并联电气特性及其调控方法研究

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3．4．2芯片分选方法的数学描述

5．2扁平化多分裂引出式分组封装碳化硅功率模块

5．3碳化硅功率模块电气性能分析

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作者
柯俊吉;
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作者单位

华北电力大学华北电力大学(北京);

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授予单位华北电力大学华北电力大学(北京);
学科电气工程
授予学位博士
导师姓名崔翔;
年度 2020
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正文语种 chi
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