声明
致谢
摘要
第一章 绪论
1.1 自旋电子学
1.2 Hall效应
1.2.1 自旋Hall效应
1.2.2 量子自旋Hall效应
1.2.3 量子反常霍尔效应
1.3 拓扑绝缘体
1.4 论文的主要工作安排
第二章 实验原理与相关设备
2.1 真空原理
2.1.1 真空概念
2.1.2 真空的获取
2.1.3 真空测量
2.2 分子束外延技术
2.3 反射高能电子衍射仪技术
2.4 电子束蒸镀系统
2.5 X射线衍射仪
2.6 场发射扫描电子显微镜(FESEM)
2.7 原子力显微镜
2.8 综合物性测量系统
第三章 Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜的制备和性能分析
3.1 研究背景
3.2 拓扑绝缘体的制备方法
3.2.1 脉冲激光沉积法(PLD)
3.2.2 化学气相沉积法(CVD)
3.2.3 金属有机物化学气相法(MOCVD)
3.2.4 分子束外延法(MBE)
3.3 实验
3.3.1 所需实验材料及设备
3.3.2 实验材料的预处理
3.3.3 薄膜生长过程
3.3.4 电极制备过程
3.4 Bi2Se3薄膜表征和性能测试方法
3.5 不同衬底温度的样品比较
3.5.1 不同衬底温度样品的平整度分析
3.5.2 不同衬底温度样品的表面形貌分析
3.5.3 不同衬底生长温度样品的晶体结构分析
3.5.3 不同衬底温度样品的组分分析
3.6 不同Se:Bi束流比的样品比较
3.6.1 不同束流比样品的平整度分析
3.6.2 不同束流比样品的晶体结构分析
3.6.3 不同束流比Bi2Se3薄膜样品的组分分析
3.7 典型样品的分析
3.7.1 表面形貌与成分
3.7.2 物相分析
3.7.3 电输运性质分析
3.8 本章小结
第四章 掺杂Mn元素对Bi2Se3拓扑绝缘体的影响
4.1 研究背景
4.2 实验过程
4.3 Bi2-xMnxSe3薄膜表征测试方法
4.4 结果与分析
4.4.1 Mn元素含量的确定
4.4.2 Bi2-xMnxSe3样品的平整度和表面形貌分析
4.4.3 Bi2-xMnxSe3样品的XRD分析
4.4.4 Bi2-xMnxSe3样品的电输运性质分析
4.5 本章小结
第五章 异质结薄膜的制备和性能测试
5.1 研究背景
5.2 实验过程
5.3 Bi2Se3/Bi1.9Mn0.1Se3薄膜表征和测试方法
5.4 测试结果和讨论
5.4.1 样品的表面平整度分析
5.4.2 物相分析
5.4.3 电输运学性质分析
5.5 本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况