首页> 中文学位 >改善GaN HEMT热不稳定的研究
【6h】

改善GaN HEMT热不稳定的研究

代理获取

目录

声明

第一章 绪论

1.1 GaN材料特性及研究意义

1.2 GaN HEMT热不稳定性问题及国内外研究现状

1.3本文的主要工作

第二章 GaN HEMT器件自热效应热优化

2.1 GaN HEMT器件结构热模型

2.1.1 一维稳态热传导模型

2.1.2 GaN HEMT器件散热模型

2.2器件的有限元仿真

2.2.1器件有限元仿真模型

2.2.2仿真边界条件

2.2.3仿真参数设置

2.2.4仿真结果

2.3热阻对器件结温的影响

2.3.1 GaN buffer层热阻对结温的影响

2.3.2 钝化层对结温的影响

2.3.3 衬底对结温的影响

2.4热阻的优化效益

2.5 本章小结

第三章 GaN HEMT器件热耦合效应热优化

3.1 插指结构热优化方法及意义

3.2 双指热耦合理论

3.2.1 双指耦合热模型结构

3.2.2 单指自热热阻

3.2.3 双指热耦合关系

3.2.4 热耦合模型分析

3.2.5 器件结温与双指功率关系

3.3插指结构热耦合数据

3.4 热优化算法

3.5 热优化结果

3.6 多指指数热优化

3.7 本章小结

第四章 GaN HEMT器件测试分析

4.1 流片工艺流程

4.2器件电学测试

4.2.1欧姆接触测试

4.2.2转移特性测试

4.2.3脉冲I-V测试

4.3器件热测试

4.3.1 热测试方法

4.3.2 器件红外测试结果

4.4器件热测试数据分析总结

4.4.1 DC测试数据分析

4.4.2脉冲测试数据分析

4.4.3器件热测试总结

第五章 总结与展望

5.1 本文的主要工作与结论

5.2后续工作与展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的研究成果

附 录

展开▼

著录项

  • 作者

    肖立杨;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 陈万军;
  • 年度 2020
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN3O78;
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号