4H--SiC高温双极型集成运算放大器设计

目录

声明

1 绪论

1.1课题背景与意义

1.2 国内外研究进展

1.2.1 SiC集成双极型晶体管的研究进展

1.2.2 SiC高温集成电路的研究进展

1.3 论文主要工作及结构安排

2 SiC双极型集成运算放大器结构及原理

2.1 SiC材料特性

2.1.1 4H-SiC材料参数

2.1.2 温度对4H-SiC材料参数影响

2.2 SiC集成双极型晶体管特性分析

2.2.1 SiC集成双极型晶体管结构及工作特性

2.2.2 SiC BJT放大和开关作用

2.3 SiC集成运放电路

2.3.1 SiC集成运放电路结构

2.3.2 SiC基本放大结构

2.4 本章小结

3 SiC集成双极型晶体管电路级模型建立

3.1 SiC集成双极型晶体管电路级模型建立

3.1.1 模型参数

3.1.2 模型参数物理描述

3.1.3 参数提取

3.1.4 连续性模型建立

3.1.5 考虑外基区复合的连续性模型建立

3.2 模型验证与分析

3.3 本章小结

4 SiC双极型集成运算放大器电路设计

4.1 单元电路设计分析

4.1.1 电流源电路设计

4.1.2 差分对电路设计

4.1.3 射极跟随器电路设计

4.1.4 输出级设计

4.2 整体电路设计分析

4.3 整体电路仿真分析

4.3.1 输入失调电压电流、输入偏置电流

4.3.2 共模输入范围与输出摆幅

4.3.3 开环差模电压放大倍数、共模抑制比

4.3.4 闭环电压增益和带宽

4.4 本章小结

5 结论与展望

5.1 结论

5.2 展望

致谢

参考文献

攻读学位期间主要研究成果