可调制波长的InGaN外延材料的生长演变机制与光学性质研究

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学位论文答辩信息表

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 InGaN外延材料

1.3 选题目的及研究内容

第二章 InGaN外延材料的制备与表征

2.1 引言

2.2 MOCVD外延生长系统

2.3 InGaN外延材料的生长

2.4 半导体材料的表征方法

第三章 可调制波长的InGaN量子点的生长演变机制与光学性质的研究

3.1 引言

3.2 样品制备

3.3 Cap层生长速率对InGaN量子点结构性能的影响

3.4 Cap层生长速率对InGaN量子点In组分分布的影响

3.5 InGaN量子点的生长演变机制

3.6 InGaN量子点的光学性质

3.7 本章小结

第四章 可调制波长的InGaN微米台的生长演变机制与光学性质的研究

4.1 引言

4.2 样品制备

4.3 InGaN微米台的生长演变机制与光学性质

4.4 本章小结

第五章 结论与展望

5.1 结论

5.2 展望

参考文献

攻读学位期间取得的科研成果

致谢