声明
第一章 绪论
1.1 GaN材料简介
1.2生长GaN薄膜的基本方法
1.2.1氢化物气相外延法（HVPE）
1.2.2金属有机气相沉积法（MOCVD）
1.3 薄膜结构、应力和缺陷
1.3.1薄膜结构
1.3.2薄膜应力
1.3.3薄膜缺陷
1.4前人研究概况
1.5 存在问题及研究内容
1.5.1 存在问题
1.5.2 研究内容
第二章 薄膜应力集中与断裂
2.1 薄膜应力集中简介
2.2 薄膜边缘附近的应力集中
2.2.1 薄膜
2.2.2边缘应力的更一般描述
2.3 断裂力学概念
2.3.1 能量释放率和Grifith准则
2.3.2界面脱层的驱动力
2.4 断裂功
2.4.1 界面分离行为表征
2.5 本章小结
第三章 蓝宝石-氮化镓异质膜系统有限元模型的建立
3.1基本假设
3.2控制方程
3.3 边界条件
3.4 物性参数
3.5 ANSYS软件简介
3.5.1热耦合场单元
3.6本章小结
第四章 蓝宝石-氮化镓异质膜系统界面应力模拟研究
4.1 理论分析
4.2 有限元建模
4.3 结果与讨论
4.3.1 薄膜系统冷却1min后的温度、翘曲变形、冯·米塞斯应力分布
4.3.2 氮化镓膜和蓝宝石衬底厚度变化对异质膜系统界面应力的影响
4.3.3 局部节点的模拟研究
4.3.4 温度对薄膜系统界面应力的影响
4.3.5 蓝宝石衬底与GaN膜厚度比对薄膜系统界面应力影响
4.3.6 GaN膜厚变化对薄膜系统最大翘曲度的影响
4.3.7晶格失配与热失配的影响
4.4 本章小结
第五章 蓝宝石-氮化镓异质膜系统残余应力模拟研究
5.1有限元建模
5.1.1 有限元网格划分
5.2 蓝宝石-氮化镓异质膜系统材料性能
5.3 边界条件加载
5.4计算结果与讨论
5.4.1 冯·米塞斯应力演化及分布
5.4.2 正应力分布
5.4.3薄膜的断裂和屈曲
5.4.4缓冲层厚度的影响
5.5 本章小结
第六章 全文总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文
江苏大学;
