声明
第1章 绪论
1.1 Si3N4材料的概述
1.1.1 Si3N4材料的发展历程
1.1.2 Si3N4的结构、性能及应用
1.2 Si3N4中点缺陷的研究现状
1.3 Si3N4表面及界面的研究现状
1.3.1 Si3N4的表面研究
1.3.2 Si3N4的界面研究
1.5 本文的研究目的和研究内容
1.5.1 本文的研究目的
1.5.2 本文的研究内容
第2章 理论计算基础
2.1 引言
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
2.2.2 Kohn-Sham方程
2.2.3 交换关联泛函
2.2.4 自洽计算
2.3 物理量介绍
2.3.1 能带结构
2.3.2态密度
2.3.3 差分电荷密度
2.3.4 光学性质
2.4 Materials Studio软件介绍
2.5 本章小结
第3章 β-Si3N4特性分析
3.1β-Si3N4的物理模型
3.2 计算参数选取
3.3β-Si3N4体相电子结构
3.4β-Si3N4理想表面
3.4.1β-Si3N4(0001)表面层数测试
3.4.2β-Si3N4(0001)表面释放层数测试
3.4.3β-Si3N4(0001)表面态密度分析
3.5 本章小结
第4章 β-Si3N4(0001)表面本征点缺陷体系的电子结构和光学性质
4.1 引言
4.2 计算方法和模型构建
4.2.1 计算方法
4.2.2 模型构建
4.3 空位缺陷体系
4.3.1 晶体结构
4.3.2 电子结构
4.3.3 光学性质
4.4 填隙缺陷体系
4.4.1 晶体结构
4.4.2 电子结构
4.4.3 光学性质
4.5 本章小结
第5章 石墨烯/β-Si3N4(0001)异质结的电子结构和光学性质
5.1 引言
5.2 计算方法和模型构建
5.2.1 计算方法
5.2.2 模型构建
5.3 结果和讨论
5.3.1 石墨烯/β-Si3N4(0001)异质结的稳定性
5.3.2 石墨烯/β-Si3N4(0001)异质结的电子结构
5.3.3 石墨烯/β-Si3N4(0001)异质结的光学性质
5.4 本章小结
结论与展望
参考文献
致谢
附录A 攻读研究生期间发表的学术论文
兰州理工大学;