声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 光催化技术概述
1.2.1 半导体光催化技术的发展
1.2.2 半导体光催化机理
1.2.3 半导体光催化剂的应用
1.3 纳米TiO2光催剂改性研究进展
1.3.1 金属离子掺杂
1.3.2 贵金属沉积
1.3.3 表面光敏化
1.3.4 光催化剂复合
1.3.4 非金属离子掺杂
1.4 g-C3N4/TiO2复合光催化材料的研究
1.4.1 纳米TiO2光催化材料的制备
1.4.2 新型g-C3N4光催化材料
1.4.3 g-C3N4/TiO2复合光催化剂
1.5 本论文的目的意义及研究内容
第二章 实验部分
2.1 实验试剂
2.2 实验仪器与装置
2.2.1 实验仪器
2.2.2 实验装置
2.2 g-C3N4/TiO2复合光催化剂的制备
2.2.1 样品的制备
2.3 光催化剂的表征方法
2.3.1 X射线衍射表征方法
2.3.2 比表面积和孔径分布
2.3.3 FT-IR表征方法
2.3.4 X射线光电子能谱表征方法
2.3.5 TEM表征方法
2.3.6 紫外-可见吸收光谱表征方法
2.3.7 荧光光谱表征方法
2.5 光催化剂的活性评价
2.5.1 液相光催化活性评价
2.5.2 气相光催化活性评价
第三章 结果与讨论
3.1 纳米TiO2光催化剂的表征
3.1.1 XRD分析
3.1.2 吸附等温线和孔径分布
3.1.3 FT-IR分析
3.1.4 XPS分析
3.1.5 TEM分析
3.1.6 UV-Vis分析
3.1.7 FS分析
3.2 液相光催化活性的研究
3.2.1 对照试验
3.2.2 三聚氰胺与TiO2的配比对光催化活性的影响
3.2.3 煅烧温度对光催化活性的影响
3.2.4 不同煅烧时间对TiO2光催化活性的影响
3.3 气相光催化活性的研究
3.4 g-C3N4/TiO2复合光催化剂光催化机理
结论与建议
参考文献
附录A 攻读硕士学位期间所发表论文和参加科研情况说明
致谢
重庆工商大学;