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摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 非易失性存储技术发展
1.2.1 传统闪存(Flash)存储器
1.2.2 改进型分立式电荷存储器
1.2.3 新型非挥发性存储器
1.3 阻变存储器的研究进展及研究意义
1.4 本文主要研究内容
参考文献
第二章 阻变存储器概述
2.1 阻变存储器工作原理与制备工艺
2.1.1 阻变存储器工作原理
2.1.2 阻变存储器的制备工艺
2.2 阻变存储器RRAIVI常用阻变材料
2.2.1 固态电解液材料
2.2.2 多元氧化物材料
2.2.3 过渡金属二元氧化物
2.2.4 有机材料
2.3 阻变存储器阻变机理
2.3.1 界面势垒调制效应
2.3.2 电荷陷阱阻变机制
2.3.3 导电细丝阻变机制
2.4 阻变存储器性能评价参数
2.5 本文研究方法和手段
参考文献
第三章 阻变存储器阻变机制的研究
3.1 氧空位导电机制研究
3.1.1 氧空位形成能分析
3.1.2 材料体系能带结构、态密度分析
3.1.3 氧空位的分波电荷态密度分析
3.1.4 特定掺杂体系的氧空位迁移势垒分析
3.2 金属性导电细丝机制研究
3.2.1 能带结构、态密度分析
3.2.2 分波电荷态密度图
3.3 金属掺杂和氧空位共存复合缺陷体系阻变机制研究
3.3.1 共掺杂体系能带、态密度分析
3.3.2 形成能、相互作用能分析
3.3.3 导电通道成分确认
3.3.4 差分电荷密度
3.3.5 布居分析
3.3.6 迁移势垒
3.4 本章小结
参考文献
第四章 RRAM器件复合材料及界面体系性质研究
4.1 Cu/HfO2界面稳定性分析
4.1.1 Cu(111)/HfO2界面失配率
4.1.2 Cu(111)/HfO2界面束缚能
4.1.3 Cu(111)/HfO2接触界面能
4.2 界面体系的电荷密度和界面处差分电荷密度分析
4.2.1 界面体系的电荷密度和电荷通道
4.2.2 界面体系的电子局域分布
4.2.3 界面体系的差分电荷密度分析
4.3 Cu(111)/HfO2(010)界面对氧空位和Cu电极的影响
4.3.1 Cu(111)/HfO2(010)界面体系的态密度
4.3.2 改进型Bader分析电子局域情况
4.3.3 界面对电极Cu的影响
4.3.4 界面对氧空位Vo的影响
4.4 本章小结
参考文献
第五章 掺杂金属元素化合价态对RRAM阻变材料性能的影响
5.1 掺杂金属元素化合价态的确定
5.1.1 电子亲和能确定掺杂元素得失电子情况
5.1.2 形成能确定掺杂元素化合价态
5.2 掺杂金属元素对电荷的局域作用(得失电子位置的确定)
5.2.1 差分电荷密度
5.2.2 改进型Bader分析
5.3 掺杂元素化合价态对RRAM阻变材料的影响
5.3.1 不同化合价金属掺杂对能带结构、态密度的影响
5.3.2 不同化合价金属掺杂的布居分析
5.3.3 不同化合价的金属离子之间及其与氧空位之间的作用
5.3.4 不同化合价金属离子对导电通道的形成难易程度的影响
5.3.5 不同化合价金属离子迁移势垒比较及系统稳定性分析
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
6.1 论文工作总结
6.2 未来工作展望
致谢
攻读学位期间发表的论文