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第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 纳米叠层激光二极管国内外研究现状
1.3本文主要内容及结构安排
第二章 纳米叠层激光二极管基础理论和研究方法
2.1激光二极管基本原理
2.2纳米叠层激光二极管的基本原理
2.3隧道结基本原理
2.4半导体激光二极管基本工艺路线及研究方法
2.5 MOCVD工艺简介及外延材料测试分析和材料性能评估
2.6本章小结
第三章 纳米叠层激光二极管结构设计与模拟仿真
3.1激光二极管材料设计
3.2隧道结掺杂浓度的设计
3.3叠层外延结构设计
3.4本章小结
第四章 纳米叠层激光二极管MOCVD外延工艺实验研究
4.1 GaAs隧道结材料的生长
4.2全结构材料外延工艺
4.3本章小结
第五章 纳米叠层激光二极管芯片制作及器件结果
5.1隧道结实验结果
5.2纳米叠层激光二极管芯片工艺
5.3叠层材料器件结果
5.4本章小结
第六章 总结与展望
6.1论文的主要工作
6.2工作展望
参考文献
致谢
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