插图索引
表格索引
符号对照表
缩略语对照表
第一章 绪论
1.1选题背景和研究意义
1.2研究现状
1.3本文的主要工作
第二章 4H-SiC中子探测器
2.1探测原理
2.2 SiC探测器的性能参数
2.3物理模型及参数
2.4计算方法
2.5本章小结
第三章 计算方法的验证
3.1 4H-SiC SBD探测器结构及基本特性
3.2 5.486 MeVα粒子的能谱响应
3.3 0.026 eV热中子的能谱响应
3.4本章小结
第四章 中子能谱的计算与分析
4.1 4H-SiC PIN二极管探测器结构及基本特性
4.2不同寿命下的中子能谱
4.3不同Z1/2缺陷浓度下的中子能谱
第五章 总结与展望
5.1总结
5.2展望
参考文献
致谢
作者简介
