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缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 GaN材料的特性
1.3 GaN材料的生长
1.4 GaN器件
1.5 GaN掺杂的国内外发展状况
1.6 本文的研究意义
1.7 本文研究的主要内容
第二章 第一性原理计算基本理论和方法
2.1 第一性原理简介
2.2 第一性原理计算的优势
2.3 第一性原理计算的理论基础
2.4 密度泛函理论
2.5 光学性质的计算方法和磁性的起源
2.6 Material Studio简介
2.7三种GaN结构的性能对比
2.8本章小结
第三章 点缺陷对GaN(0001)表面光电性能的影响
3.1 引言
3.2 带有点缺陷GaN (0001)表面的理论模型
3.3带有点缺陷GaN(0001)表面的电子性能
3.4带有点缺陷GaN(0001)表面的光学性能
3.5带有不同浓度点缺陷GaN(0001)表面的电子性能
3.6带有不同浓度点缺陷GaN(0001)表面的光学性能
3.7本章小结
第四章 金属原子吸附GaN(0001)表面的光电性能
4.1 引言
4.2 单金属原子吸附的理论模型
4.3 单金属原子吸附的电子性能
4.4单金属原子吸附的光学性能
4.5双金属原子吸附的理论模型
4.6双金属原子吸附的电子性能
4.7光学性能
4.8本章小结
第五章 过渡金属掺杂GaN单层结构的磁性能
5.1 引言
5.2理论模型
5.3电子性能
5.4不同掺杂浓度下的磁性能分析
5.5本章小结
第六章 总结和展望
6.1研究结论
6.2展望
参考文献
致谢
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