摘要
第1章绪论
1．1有机场效应晶体管概述
1．2有机场效应晶体管的原理、结构及性能参数
1．3适用于有机场效应晶体管的半导体材料
1．3．2 n-型有机小分子半导体材料
1．3．3 p-型高分子半导体材料
1．3．4 n-型高分子半导体材料
1．4有机场效应晶体管的制备技术
1．5本论文的选题依据和意义
第2章吡啶封端噻吩酰亚胺衍生物对含硼路易斯酸的光谱响应
2．1引言
2．2结果与讨论
2．2．1材料合成
2．2．2材料的核磁表征和光学性质
2．2．3材料的OFET器件性能表征
2．3本章小结
第3章含氮芴杂环的聚合物半导体材料的设计及其在场效应晶体管中的应用
3．1引言
3．2结果与讨论
3．2．1材料的合成
3．2．2材料热稳定分析
3．2．3材料的电化学和吸收光谱
3．2．5材料的OFET器件性能研究
3．3本章小结
4．1引言
4．2结果与讨论
4．2．1材料合成
4．2．2化合物23的性质研究
4．2．3化合物27的特性表征
4．2．4化合物27的理论计算分析
4．3本章小结
5．1原料及试剂
5．2测试仪器及条件
5．3材料TPD-2-Py和TPD-4-Py的合成
5．4聚合物的合成
5．5化合物23与27的合成
5．6器件的制备
5．6．1硅片清洗和修饰
5．6．2器件的制备
第6章结论
附录
参考文献
致谢
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