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常静;
西北大学;
掺杂; TiO2; 相变; 第一性;
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机译:Ⅳ族(Si,Ge和Sn)掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2型黄铜矿化合物中带太阳能电池子带隙的一般规则:第一性原理研究
机译:来自第一性原理研究的用于中带太阳能电池的IV组(Si,Ge和Sn)掺杂的AgAlTe2
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机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
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机译:六种电位磁性的第一性原理研究 半金属铁磁体:碱土(Ca,sr)掺杂XC(X = si,Ge,sn)
机译:二氧化甲基膦酸二甲酯在TiO2锐钛矿(001)表面吸附的第一性原理研究:形成稳定的钛氧基(Ti = O)位点
机译:Ge 1-xy Sub> Sn x Sub> E y Sub>(E = P,As,Sb)半导体及其相关Si-Ge-Sn-的制备方法E和Si-Ge-E类似物
机译:SI X Sub> SN Y Sub> GE 1-X-Y Sub>以及基于SI,GE和SN的相关合金异质结构
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